Transistor MOSFET NXP canal N, TO-220AB 52 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
52 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
120 W
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.3mm
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, NXP
MOSFET Transistors, NXP
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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Mode de canal
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Charge de Grille type @ Vgs
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Longueur
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