Diode traversante onsemi, 1A, 1000V, DO-41
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
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Prix sur demande
1
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