Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Maximální stejnosměrný propustný proud
1A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1000V
Configuration de diode
Single
Typ diody
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Počet prvků na čip
1
Diodová technologie
Silicon Junction
Durchmesser
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Maximální stejnosměrný propustný proud
1A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1000V
Configuration de diode
Single
Typ diody
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Počet prvků na čip
1
Diodová technologie
Silicon Junction
Durchmesser
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
China


