Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
China


