Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
300ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
300ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A


