Diode traversante onsemi, 3A, 100V, DO-201AD
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
3A
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Diamètre
5.6mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
3A
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Diamètre
5.6mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A