Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
3A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
3A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
200A


