Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
2 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de boîtier
NP
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5 x 4 x 5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
2 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de boîtier
NP
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5 x 4 x 5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C