Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
0.1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Type de montage
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Rozměry
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Betriebstemperatur max.
150 °C

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1

Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
0.1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Type de montage
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Rozměry
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Betriebstemperatur max.
150 °C



