Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Tension de saturation Base Emetteur maximum
2.5 V
Tension Collecteur Base maximum
100 V c.c.
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.0000005mA
Dissipation de puissance maximum
65 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Höhe
15.75mm
Rozměry
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
10.28mm
Šířka
4.82mm
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Tension de saturation Base Emetteur maximum
2.5 V
Tension Collecteur Base maximum
100 V c.c.
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.0000005mA
Dissipation de puissance maximum
65 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Höhe
15.75mm
Rozměry
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
10.28mm
Šířka
4.82mm


