Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de boîtier
TO-220-2L
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
2 + Tab
Dissipation de puissance maximum
115 W
Configuration du transistor
Single
Largeur
4.8mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
SiC
Longueur
10.67mm
Hauteur
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
2.4V
Prix sur demande
Each (In a Tube of 800) (hors TVA)
800
Prix sur demande
Each (In a Tube of 800) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
800
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de boîtier
TO-220-2L
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
2 + Tab
Dissipation de puissance maximum
115 W
Configuration du transistor
Single
Largeur
4.8mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
SiC
Longueur
10.67mm
Hauteur
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
2.4V


