IGBT, FGA50N100BNTDTU, , 50 A, 1000 V, TO-3P, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1000 V
Tension Grille Emetteur maximum
±25V
Dissipation de puissance maximum
63 W
Type de boîtier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Single
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IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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