Transistor commuté par émetteur, FJP2145TU, NPN 5 A 0.202V A-220, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
5 A
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
120 W
Gain en courant DC minimum
8
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Détails du produit
Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
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