Transistor commuté par émetteur, FJP2160DTU, NPN 2 A 2.21V A-220, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
2 A
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Gain en courant DC minimum
20
Nombre de broches
3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Détails du produit
Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
2 A
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Gain en courant DC minimum
20
Nombre de broches
3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Détails du produit
Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.