Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de fixation
Through Hole
Type de conditionnement
TO-220F
Courant direct continu maximum
20A
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
950mV
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
150A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 10 à 25 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or SBR-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
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Paquet de production (Tube)
5
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Through Hole
Type de conditionnement
TO-220F
Courant direct continu maximum
20A
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Redresseur Schottky
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
950mV
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
150A
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, 10 à 25 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or SBR-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.