Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
2 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de boîtier
PDIP W
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
16
Configuration du transistor
Common Emitter
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Taille
3.43mm
Largeur
6.85mm
Dimensions
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température maximum de fonctionnement
85 °C
Longueur
19.55mm
Détails du produit
Transistors Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
2 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de boîtier
PDIP W
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
16
Configuration du transistor
Common Emitter
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Taille
3.43mm
Largeur
6.85mm
Dimensions
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température maximum de fonctionnement
85 °C
Longueur
19.55mm
Détails du produit
Transistors Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.


