Transistor bipolaire à haute tension, NPN, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
300 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
1,56 W
Tension Collecteur Base maximum
300 V
Tension Emetteur Base maximum
3 V
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
300 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
1,56 W
Tension Collecteur Base maximum
300 V
Tension Emetteur Base maximum
3 V
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.38mm