Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-80 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
20 W
Gain en courant DC minimum
60
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
10 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
20 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.73 x 2.38 x 6.22mm
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
15
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
15
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-80 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
20 W
Gain en courant DC minimum
60
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
10 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
20 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.73 x 2.38 x 6.22mm
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.


