Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Fréquence de fonctionnement maximum
4 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.28 x 10.28 x 4.82mm
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Fréquence de fonctionnement maximum
4 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.28 x 10.28 x 4.82mm


