Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Tension Collecteur Base maximum
80 V dc
Tension Emetteur Base maximum
4 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.1mm
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
50
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Tension Collecteur Base maximum
80 V dc
Tension Emetteur Base maximum
4 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.1mm


