Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.75V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
100ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.75V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
100ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A


