Diode traversante onsemi, 4A, 1000V, Boîtier 267-05

N° de stock RS: 348-6520Marque: ON SemiconductorN° de pièce Mfr: MUR4100E
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ON Semiconductor

Type de fixation

Through Hole

Type de boîtier

Affaire 267-05

Courant direct continu maximum

4A

Tension inverse de crête répétitive

1000V

Configuration de diode

Filetage sur cathode

Type de redressement

Commutation

Type diode

Silicon Junction

Nombre de broche

2

Chute minimale de tension directe

1.85V

Nombre d'éléments par circuit

1

Temps de recouvrement inverse crête

100ns

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

70A

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Prix ​​sur demande

Diode traversante onsemi, 4A, 1000V, Boîtier 267-05

1

Disponible en multiples de 1
1Prix ​​sur demande
2Prix ​​sur demande
3Prix ​​sur demande
4Prix ​​sur demande
5Prix ​​sur demande
6Prix ​​sur demande
7Prix ​​sur demande
8Prix ​​sur demande
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11Prix ​​sur demande
12Prix ​​sur demande
13Prix ​​sur demande
14Prix ​​sur demande
15Prix ​​sur demande

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