Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Stud Cathode
Type de redressement
Commutation
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
890mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
125A
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Stud Cathode
Type de redressement
Commutation
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
890mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
125A


