IGBT, NGTB40N120FLWG, , 80 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorCourant continu de Collecteur maximum
80 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1 200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
260 W
Type de boîtier
A-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
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Prix sur demande
1
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N
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