Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
6 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
65 W
Configuration du transistor
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
3 MHz
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Rozměry
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
6 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
65 W
Configuration du transistor
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
3 MHz
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Rozměry
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Betriebstemperatur max.
150 °C


