Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
6 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
65 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-100 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
3 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
6 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
65 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-100 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
3 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Température d'utilisation maximum
150 °C


