Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
6 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
65 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-100 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
3 MHz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Température maximale d'utilisation
150 °C
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
6 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
65 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-100 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
3 MHz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Température maximale d'utilisation
150 °C


