Diode traversante onsemi, 1A, 50V, DO-41
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
50V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Fast Recovery
Type diode
Rectifier
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
300ns
Diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Détails du produit
Diodes de redressement, 1 à 1,5 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
250
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Silicon Junction
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Diamètre
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