Diode traversante ON Semiconductor, 1A, 20V, DO-41

N° de stock RS: 625-4972Marque: onsemiN° de pièce Mfr: 1N5817RLG
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de fixation

Through Hole

Type de conditionnement

DO-41SS

Courant direct continu maximum

1A

Tension inverse de crête répétitive

20V

Configuration de diode

Single

Type de redressement

Redresseur Schottky

Type diode

Schottky

Nombre de broche

2

Chute minimale de tension directe

750mV

Nombre d'éléments par circuit

1

Technologie de diode

Barrière Schottky

Diamètre

2.7mm

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

25A

Détails du produit


Redresseurs à sortie axiale 1N5817 / 8 / 9 d'ON Semiconductor

Cette série se compose de diodes de puissance métal à silicone. Ces diodes sont fournies en version à métal à barrière chrome, passivation oxyde et contact à recouvrement en métal.


Avantages :

• VF extrêmement faible
• Faible charge stockée
• Conduction porteuse majoritaire
• Faible perte de puissance/haut rendement


Caractéristiques :

• Boîtier : époxy, moulé
• Poids : 0,4 gramme
• Finition : toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion et les cordons de jonction sont faciles à souder
• Température de câble pour le soudage : 260 °C maximum pendant 10 secondes
• Polarité : cathode indiquée par bande de polarité


Applications typiques :

• Variateurs haute fréquence
• Diodes de roue libre
• Diodes de protection des polarités

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Vous pouvez être intéressé par
Diode traversante onsemi, 1A, 20V, DO-41
Prix ​​sur demandeEach (In a Pack of 5) (hors TVA)
Diode traversante Taiwan Semiconductor, 1A, 20V, DO-41
€ 0,067Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
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€ 2,09

€ 0,418 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

Diode traversante ON Semiconductor, 1A, 20V, DO-41
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 0,418€ 2,09
50 - 95€ 0,36€ 1,80
100 - 495€ 0,314€ 1,57
500 - 995€ 0,274€ 1,37
1000+€ 0,25€ 1,25

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20V

Configuration de diode

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Type de redressement

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Type diode

Schottky

Nombre de broche

2

Chute minimale de tension directe

750mV

Nombre d'éléments par circuit

1

Technologie de diode

Barrière Schottky

Diamètre

2.7mm

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

25A

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Cette série se compose de diodes de puissance métal à silicone. Ces diodes sont fournies en version à métal à barrière chrome, passivation oxyde et contact à recouvrement en métal.


Avantages :

• VF extrêmement faible
• Faible charge stockée
• Conduction porteuse majoritaire
• Faible perte de puissance/haut rendement


Caractéristiques :

• Boîtier : époxy, moulé
• Poids : 0,4 gramme
• Finition : toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion et les cordons de jonction sont faciles à souder
• Température de câble pour le soudage : 260 °C maximum pendant 10 secondes
• Polarité : cathode indiquée par bande de polarité


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