Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
Diode
Typ montáže
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
3A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
20V
Configuration de diode
Single
Série
1N5820
Type de Diode
Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
20mA
Température minimum de fonctionnement
71°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
80A
Maximální dopředné napětí Vf
850mV
Maximální provozní teplota
60°C
Špičková doba zpětného zotavení trr
1.6ns
Höhe
9.52mm
Longueur
3.57mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
Sans plomb
Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 20,33
€ 0,203 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
100
€ 20,33
€ 0,203 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Sac)
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Sac |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,203 | € 2,03 |
| 500 - 990 | € 0,159 | € 1,59 |
| 1000 - 2490 | € 0,118 | € 1,18 |
| 2500+ | € 0,116 | € 1,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType du produit
Diode
Typ montáže
Through Hole
Type de Boitier
DO-201AD
Courant continu direct maximum If
3A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
20V
Configuration de diode
Single
Série
1N5820
Type de Diode
Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
20mA
Température minimum de fonctionnement
71°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
80A
Maximální dopředné napětí Vf
850mV
Maximální provozní teplota
60°C
Špičková doba zpětného zotavení trr
1.6ns
Höhe
9.52mm
Longueur
3.57mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
Sans plomb
Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


