Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
200 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
40 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-40 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
250 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
200 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
40 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-40 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
250 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm


