Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
600 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
140 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
160 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
0.25 V
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
600 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
140 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
160 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
0.25 V