Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
20 V
Type de conditionnement
NMP
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.9 x 2.5 x 4.5mm
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
500 mV
Détails du produit
Transistors NPN à usage général, au-dessus de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
25
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Paquet de production (Bande)
25
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onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
20 V
Type de conditionnement
NMP
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.9 x 2.5 x 4.5mm
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
500 mV
Détails du produit
Transistors NPN à usage général, au-dessus de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.