Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 20mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.5mm
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 28,98
€ 0,29 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 28,98
€ 0,29 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine | 
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,29 | € 7,24 | 
| 250 - 475 | € 0,251 | € 6,27 | 
| 500 - 975 | € 0,221 | € 5,53 | 
| 1000+ | € 0,20 | € 5,01 | 
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 20mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.5mm
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


