Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 20mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.5mm
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 8,67
€ 0,347 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 8,67
€ 0,347 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,347 | € 8,67 |
100 - 225 | € 0,299 | € 7,47 |
250 - 475 | € 0,259 | € 6,47 |
500 - 975 | € 0,228 | € 5,70 |
1000+ | € 0,208 | € 5,19 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 20mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.5mm
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.