Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
16 to 32mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 48,56
€ 0,243 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 48,56
€ 0,243 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine | 
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,243 | € 4,86 | 
| 500 - 980 | € 0,211 | € 4,22 | 
| 1000 - 1980 | € 0,186 | € 3,71 | 
| 2000+ | € 0,168 | € 3,37 | 
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
16 to 32mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


