Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 17mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 32,09
€ 0,321 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 32,09
€ 0,321 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,321 | € 8,02 |
250 - 475 | € 0,278 | € 6,95 |
500 - 975 | € 0,245 | € 6,12 |
1000+ | € 0,222 | € 5,56 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 17mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.