Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 17mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 30,00
€ 0,30 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 30,00
€ 0,30 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,30 | € 7,50 |
| 250 - 475 | € 0,259 | € 6,48 |
| 500 - 975 | € 0,228 | € 5,71 |
| 1000+ | € 0,208 | € 5,20 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 17mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


