Jonction au silicium Non onsemi, Simple, 200 mA 200 V, 3 broches, SOT-23
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Single
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
200mA
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Surface
Type de Boitier
SOT-23
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
1.25V
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
625mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Dissipation de puissance maximum Pd
385mW
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.9mm
Normes/homologations
No
Série
BAS20
Largeur
1.3 mm
Hauteur
0.94mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, ON Semiconductor
Standards
Products with S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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€ 8,31
€ 0,042 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
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Standard
200
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 200 - 800 | € 0,042 | € 8,31 |
| 1000 - 1800 | € 0,036 | € 7,16 |
| 2000+ | € 0,031 | € 6,23 |
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SOT-23
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
1.25V
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
625mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Dissipation de puissance maximum Pd
385mW
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.9mm
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No
Série
BAS20
Largeur
1.3 mm
Hauteur
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