Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
250V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
50ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
625mA
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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Brand
ON SemiconductorType de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
250V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
50ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
625mA