Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN + PNP
Courant continu de Collecteur maximum
0.1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
65 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
380 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
2.0 x 1.25 x 0.95mm
Détails du produit
Transistors doubles NPN/PNP, ON Semiconductor
Les boîtiers doubles transistors contiennent chacun un dispositif NPN et PNP
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Brand
onsemiType de transistor
NPN + PNP
Courant continu de Collecteur maximum
0.1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
65 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
380 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
2.0 x 1.25 x 0.95mm
Détails du produit
Transistors doubles NPN/PNP, ON Semiconductor
Les boîtiers doubles transistors contiennent chacun un dispositif NPN et PNP


