Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-1.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-80 V
Type de boîtier
TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12,5 W
Gain en courant DC minimum
40
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-80 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 33,85
€ 0,564 Each (In a Tube of 60) (hors TVA)
60
€ 33,85
€ 0,564 Each (In a Tube of 60) (hors TVA)
60
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
60 - 60 | € 0,564 | € 33,85 |
120 - 240 | € 0,531 | € 31,84 |
300+ | € 0,509 | € 30,52 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-1.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-80 V
Type de boîtier
TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12,5 W
Gain en courant DC minimum
40
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-80 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.