Transistor, NPN Simple, 2 A, 115 V, A-220, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
2 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
115 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
30 W
Gain en courant DC minimum
40
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 22,03
€ 0,881 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 22,03
€ 0,881 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
2 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
115 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
30 W
Gain en courant DC minimum
40
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.