Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
750
Tension de saturation Base Emetteur maximum
2.5 V
Tension Collecteur Base maximum
100 V dc
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.0000005mA
Dissipation de puissance maximum
65 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
15.75mm
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.28mm
Largeur
4.82mm
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
750
Tension de saturation Base Emetteur maximum
2.5 V
Tension Collecteur Base maximum
100 V dc
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.0000005mA
Dissipation de puissance maximum
65 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
15.75mm
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.28mm
Largeur
4.82mm