Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
8 to 80mA
Tension Drain Source maximum
0.4 V
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.97mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 56,82
€ 0,114 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 56,82
€ 0,114 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine | 
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,114 | € 11,36 | 
| 1000+ | € 0,099 | € 9,89 | 
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
8 to 80mA
Tension Drain Source maximum
0.4 V
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.97mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


