Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
TO-220AB
Courant direct continu maximum
16A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Redresseurs ultrarapides
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Détails du produit
Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
€ 14,08
€ 1,408 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Configuration de diode
Cathode commune
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General Purpose
Type diode
Redresseurs ultrarapides
Nombre de broche
3
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2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
35ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
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Diodes de redressement, 10 à 30 A, ON Semiconductor
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