MOSFET onsemi canal P, cph3 3 A 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
CPH3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
215 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
5,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
0.9mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
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1
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
5,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
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