Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
20 to 40mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration du transistor
Source commune
Format
Dual
Type de montage
CMS
Type de boîtier
CPH
Nombre de broche
6
Capacitance Drain Grille
6pF
Capacitance Source Grille ON
2.3pF
Dimensions
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Hauteur
0.9mm
Largeur
1.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 723,62
€ 0,241 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 723,62
€ 0,241 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
20 to 40mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration du transistor
Source commune
Format
Dual
Type de montage
CMS
Type de boîtier
CPH
Nombre de broche
6
Capacitance Drain Grille
6pF
Capacitance Source Grille ON
2.3pF
Dimensions
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Hauteur
0.9mm
Largeur
1.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.