Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
20 to 40mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration du transistor
Source commune
Format
Dual
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
CPH
Nombre de broche
6
Capacitance Drain Grille
6pF
Capacitance Source Grille ON
2.3pF
Dimensions
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
0.9mm
Largeur
1.6mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 5,78
€ 0,578 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 5,78
€ 0,578 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,578 | € 5,78 |
| 100 - 240 | € 0,499 | € 4,99 |
| 250 - 490 | € 0,432 | € 4,32 |
| 500 - 990 | € 0,38 | € 3,80 |
| 1000+ | € 0,345 | € 3,46 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
20 to 40mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration du transistor
Source commune
Format
Dual
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
CPH
Nombre de broche
6
Capacitance Drain Grille
6pF
Capacitance Source Grille ON
2.3pF
Dimensions
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
0.9mm
Largeur
1.6mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


