Diode TVS Unidirectionnel, claq. 4V, 13.7V U-DFN2510, 10 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de direction
Uni-Directional
Configuration de diode
Anode commune
Tension de pincement maximum
13.7V
Tension de claquage
4V
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
U-DFN2510
Nombre de broche
10
Courant d'impulsion crête maximum
8A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
2.5 x 1 x 0.5mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Capacité
0.55pF
Longueur
2.5mm
Taille
0.5mm
Largeur
1mm
Courant de test
1mA
Tension d'utilisation
3.3V
Courant de fuite inverse maximum
1µA
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Diodes de suppression de tension transitoire pour la protection PSDE, série ESD
Conçues pour protéger les composants sensibles aux PSDE (décharges électrostatiques). Une excellente capacité de serrage, de faibles fuites et un temps de réponse rapide constituent une protection de premier ordre pour les conceptions exposées aux décharges électrostatiques.
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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€ 10,63
€ 0,213 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 10,63
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,213 | € 10,63 |
| 500 - 950 | € 0,183 | € 9,15 |
| 1000+ | € 0,159 | € 7,96 |
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Tension de claquage
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Type de boîtier
U-DFN2510
Nombre de broche
10
Courant d'impulsion crête maximum
8A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
2.5 x 1 x 0.5mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Capacité
0.55pF
Longueur
2.5mm
Taille
0.5mm
Largeur
1mm
Courant de test
1mA
Tension d'utilisation
3.3V
Courant de fuite inverse maximum
1µA
Pays d'origine
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Conçues pour protéger les composants sensibles aux PSDE (décharges électrostatiques). Une excellente capacité de serrage, de faibles fuites et un temps de réponse rapide constituent une protection de premier ordre pour les conceptions exposées aux décharges électrostatiques.
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