Diode TVS onsemi 1 Uni-Directionnel 3.3 V, 10 broches UDFN
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Common Anode
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Uni-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
4V
Type de montage
Montage en surface
Type de Boitier
UDFN
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
3.3V
Nombre de broches
10
Tension de pincement VC
13.7V
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
8A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
60°C
Taille
0.5mm
Longueur
2.5mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Courant de fuite inverse maximum
1μA
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Diodes de suppression de tension transitoire pour la protection PSDE, série ESD
Conçues pour protéger les composants sensibles aux PSDE (décharges électrostatiques). Une excellente capacité de serrage, de faibles fuites et un temps de réponse rapide constituent une protection de premier ordre pour les conceptions exposées aux décharges électrostatiques.
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,11
€ 0,202 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Standard
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,202 | € 10,11 |
| 500 - 950 | € 0,174 | € 8,72 |
| 1000+ | € 0,151 | € 7,57 |
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Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
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Nombre de broches
10
Tension de pincement VC
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Température d'utilisation minimale
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Courant d'impulsion crête maximum
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1
Température d'utilisation maximum
60°C
Taille
0.5mm
Longueur
2.5mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Courant de fuite inverse maximum
1μA
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No
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Conçues pour protéger les composants sensibles aux PSDE (décharges électrostatiques). Une excellente capacité de serrage, de faibles fuites et un temps de réponse rapide constituent une protection de premier ordre pour les conceptions exposées aux décharges électrostatiques.
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