Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de direction
Uni-Directional
Configuration de diode
Ensemble complexe
Tension de claquage
6V
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
U-DFN1210
Tension inverse maximum à l'état bloqué
5.5V
Nombre de broche
6
Dissipation de puissance crête d'impulsion
100W
Courant d'impulsion crête maximum
3A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Dimensions
1.2 x 1 x 0.5mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Longueur
1.2mm
Taille
0.5mm
Largeur
1mm
Courant de test
1mA
Courant de fuite inverse maximum
1µA
Détails du produit
Réseau de protection ESD faible capacité
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
€ 12,44
€ 0,124 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 12,44
€ 0,124 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,124 | € 3,11 |
250 - 475 | € 0,108 | € 2,70 |
500 - 975 | € 0,094 | € 2,35 |
1000+ | € 0,086 | € 2,14 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de direction
Uni-Directional
Configuration de diode
Ensemble complexe
Tension de claquage
6V
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
U-DFN1210
Tension inverse maximum à l'état bloqué
5.5V
Nombre de broche
6
Dissipation de puissance crête d'impulsion
100W
Courant d'impulsion crête maximum
3A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Dimensions
1.2 x 1 x 0.5mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Longueur
1.2mm
Taille
0.5mm
Largeur
1mm
Courant de test
1mA
Courant de fuite inverse maximum
1µA
Détails du produit