MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 11 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 864-4923Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FCB11N60TM
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

11 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Série

SuperFET

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

380 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

40 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Largeur

9.65mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

4.83mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.
En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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Série

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3

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Mode de canal

Enrichissement

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125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

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Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Largeur

9.65mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

4.83mm

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Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.
En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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